3、高通改委巨狼芬尼尔有着血盆大口之称的特别凶狠残暴的怪物之一，是洛基和安古尔波扎的私生子

图15 晶界的基本概念，亿罚晶界附近的原子错排，亿罚利用电子背散射衍射来表征碲掺杂镁锑铋基Zintl相的晶粒大小和取向，利用高分辨透射电镜表征多晶硒化锡的小角度晶界及其附近线性排列的刃型位错，铋铜硒氧多晶块体中[100]取向的晶粒和[110]取向的晶粒之间的大角度晶界，通过球磨法实现银铅锑碲热电合金的晶粒细化，通过高压法实现多晶硒化锡的晶粒细化，以及适当的晶粒细化对铋锑碲（BST）基多晶块体热电性能的影响。图7 层级式的热电设计理念：单开结构设计，多维设计和器件设计。

即使对于同一种热电材料体系，出仅不同温度下的载流子浓度的最优值区间也有所不同。日数要点26：热电纳米/微米板板条状纳米/微米晶是常见的二维热电材料。要点42：上交环境因素对热电材料及器件服役性能的影响除了氧化行为，上交热电材料及器件在服役的过程中还可能面对各种各样的外界环境，包括压力，磁场，自然光/激光辐照及射线辐照等。

本小节介绍了多晶块体中的各向异性现象，高通改委并列举了几种提高多晶热电块体各向异性的方法和思路。需要注意的是晶界对载流子传输也同时具有一定的阻碍作用（散射载流子降低迁移率），亿罚因此应用晶粒细化于多晶热电材料的前提是晶界对热导率的降低需大于对电导率的降低。

要点6：单开多晶热电块体及多元热电器件的制造工艺总结本节介绍了多晶热电块体材料的制备工艺（包括冷压/热压法及等离子体放电烧结法），单开传统热电器件的制造工艺（热电块体材料切割，焊接，缓冲层设计，电路连接，填充物，以及多层器件设计），微纳热电器件制造工艺（聚焦离子束（FIB）技术，薄膜衬底一体化），以及柔性热电器件制造工艺（柔性基底，无机/有机复合，纯无机柔性热电材料与器件）。

本小节介绍了单层/多层纳米片的合成原理，出仅电子结构，理论计算预测的热电优值，表征手段，以及其在热电领域的应用。图三、日数Mg(Al)O负载单原子Pt二次热处理、Mg(Al)O负载Pt纳米颗粒和Al2O3负载3DPt簇的电镜表征（a）0.08％Pt/Mg(Al)O@Al2O3-OR-R的TEM图像。

有意应聘者请将个人简历、上交科研工作总结及代表性论文发至邮箱：[email protected]。同时，高通改委本文中由MgAl层状双金属氢氧化物（LDHs）热处理获得的Mg(Al)O载体提供了适宜的碱性位点，在提高1,2-PeD选择性方面也起到关键作用。

2、亿罚热爱科研工作，善于沟通交流和团队合作。2、单开课题组长将指导和支持申请各类人才项目和基金项目等。